多项选择题
改善晶体管大电流特性的主要技术途径包括（）
A.增加发射结的结面积B.增加发射极总条长C.采用多发射极条，使得单根发射极条长不要太长D.减小基区串联电阻
多项选择题 减小基区串联电阻的主要技术途径包括（）
多项选择题 增大直流偏置电压VCE对基区渡越时间τb集电结势垒电容充放电时常数τc影响进而对特征频率fT的影响是（）
多项选择题 增大直流偏置电流IE对发射结势垒电容充放电时常数τe和基区渡越时间τb的影响进而对特征频率fT的影响是（）
