问答题
硅PN结N区电阻率Pn=5Ω·cm、tp=1μs，P区电阻率Pp=0.1Ω·cm、tn=5μs，计算300K时反向饱和电流密度、空穴电流与电子电流之比以及正向0.3V和0.7V时通过PN结的电流密度。
问答题 PN结两边杂质浓度和宽度均相等，且两边宽度小于相应的少子扩散长度，试证明正向空穴电流和电子电流之比为Ip/In=Dp/Dn，如果两边宽度均大于相应的扩散长度，结果如何？
问答题 证明反向饱和电流可以改写为。
问答题 证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。
