单项选择题
考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）
A.功函数为3.5eV的半导体B.功函数为3eV的半导体C.功函数为4eV的半导体D.功函数为4.2eV的半导体
单项选择题 室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）
单项选择题 pn结雪崩击穿的的机理是（）
单项选择题 实际处于反偏状态下的pn结，其载流子的产生率与复合率之间的关系为（）
