单项选择题
以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅？（）
A.降低衬底掺杂浓度B.增加栅氧化层厚度C.增加沟道宽度D.减小沟道长度
单项选择题 以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流？（）
单项选择题 ICBO代表（）时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。
单项选择题 为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
