多项选择题
关于硅单晶生长过程中无位错单晶的生长描述正确的是（）
A.纯净的籽晶和熔硅表面是保证单晶无位错生长的基本条件B.熔硅温度变化，单晶的回熔或加快生长也可能形成位错C.放肩、转肩、等直径生长，这些过程熔硅温度变化较大，容易产生位错D.优良的热场是无位错单晶生长的重要条件
多项选择题 关于位错的描述正确的是（）
多项选择题 影响熔体自然对流的因素有哪些（）
多项选择题 单晶中径向杂质分布描述正确的是（）
