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微电子器件与IC设计基础

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单项选择题

​正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值,这导致了该区域内载流子出现()过程占优。

A.产生
B.碰撞
C.复合
D.隧穿

相关考题

单项选择题 ​不考虑势垒区的产生-复合电流,Jdn和Jdp在PN结的势垒区()。

单项选择题 处于平衡态的PN结,其费米能级()。

问答题 NPN双极晶体管,NE=108cm-3,NB=1016cm-3,We=0.5μm,Wb=0.6μm,Dpe=10cm2/s,Dnb=25cm2/s,tpe=10-7s,tnb=5×10-7s,计算α0,β0。若为缓变基区晶体管,且NB(0)=2×1016cm-3,NC=1015cm-3,其他参数相同,再求其β0。

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