填空题
单晶中径向杂质分布在单晶生长过程中既受（）的影响，又受到（）和（）的影响。
分凝；蒸发；搅拌
填空题 K有效受晶体生长速度即（）和（）影响。
填空题 计算杂质的分凝系数时，（）中的杂质原子总数加（）中的杂质原子总数等于掺杂元素的原子总数。
填空题 生长电阻率为10-2欧姆•厘米至10-4欧姆•厘米硅单晶时，硅单晶含杂质多，掺杂量大，一般用（）掺杂。
