多项选择题
理想MIS结构必须满足的条件有（）
A.绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电B.绝缘层材料为二氧化硅C.半导体必须为本征半导体D.金属与半导体的功函数差为零
单项选择题 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×1015cm-3。当氧化层厚度为0.1μm时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2μm时的阈值电压为（）V。
单项选择题 半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。
单项选择题 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。
