单项选择题
T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）
A.增加B.不确定C.不变D.下降
多项选择题 对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
多项选择题 下面（）过程属于间接复合的微观过程。
多项选择题 根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）
