多项选择题
CMOSIC通常采取那种隔离方法（）
A.局部场氧化B.浅槽隔离C.pn结隔离D.混合隔离
多项选择题 可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）
多项选择题 下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）
单项选择题 实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率（）
