单项选择题
在实际结晶过程中关于晶核成核的描述正确的是（）
A.实际晶体结晶过程分为自发成核和非自发成核，但常常是以自发成核为主B.熔体中存在杂质时，往往利用杂质作为基底，生成非自发晶核C.一般来讲，非自发临界晶核形成时所需要的能量比自发晶核所需的能量大D.由于籽晶为硅材质，所以引晶过程属于自发成核
单项选择题 以下晶体对结晶潜热的相关描述不正确的是（）
单项选择题 晶体用腐蚀液腐蚀，硅单晶各晶面腐蚀速率排序正确的是（）
单项选择题 晶体生长时，对于硅单晶的各晶面法向生长速度排序正确的是（）
