单项选择题
一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）
A.其栅氧化层厚度越小，阈值电压越大B.其衬底掺杂浓度越高，阈值电压越大C.其阈值电压必定是负的D.其衬底费米势肯定是负的
单项选择题 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）
单项选择题 当三极管的共射电流放大系数下降为1时所对应的频率为（）
单项选择题 关于NPN管直流工作特性分析，不正确的是（）
