单项选择题
对于NMOS和PMOS管完全对称的CMOS反相器，当输出端从高电平翻转到低电平的过程中，论述正确的是（）。
A.翻转时，从电源到地端的回路总等效电阻最大B.负载管从线性区直接过渡到截止区C.翻转时，两个管子都处于饱和区D.工作管从截止区直接过渡到线性区
单项选择题 关于MOSFET模型论述错误的是（）。
单项选择题 不会引起MOSFET衬底电流的效应是（）。
单项选择题 在理想MIS结构（n型半导体）开启电压VT的计算中，没有考虑强反型少子（即空穴）电荷的原因是（）。
