多项选择题

A.拉制硅单晶时熔体中杂质进行扩散和蒸发,结晶时杂质分凝,硅熔体还受到其他杂质的污染
B.杂质的扩散速度很慢,一般可以忽略
C.杂质分凝影响较大,拉制单晶硅杂质在硅中的平衡分凝系数均小于1时,单晶中杂质比熔体中少
D.分凝出的杂质在熔体中不断积累,晶体尾部的杂质浓度也越来越高,电阻率越来越低