单项选择题
增加集电区掺杂浓度NC对特征频率fT和集电结击穿电压BVCB的影响是（）
A.使得fT增加、BVCB增加
B.使得fT增加、BVCB减小
C.使得fT减小、BVCB减小
D.使得fT减小、BVCB增加
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单项选择题
为了提升放大用晶体管的放大特性和开关晶体管的开关速度，应该（）
A.防止重金属原子（如“金”）进入放大用晶体管和开关晶体管
B.向放大用晶体管和开关晶体管有控制地掺入一定的金原子
C.向放大用晶体管掺入金原子，防止金原子进入开关晶体管
D.防止金原子进入放大用晶体管，向开关晶体管掺入金原子 -
多项选择题
改善晶体管大电流特性的主要技术途径包括（）
A.增加发射结的结面积
B.增加发射极总条长
C.采用多发射极条，使得单根发射极条长不要太长
D.减小基区串联电阻 -
多项选择题
减小基区串联电阻的主要技术途径包括（）
A.采用双基极条
B.减少无源基区掺杂浓度
C.增加无源基区掺杂浓度
D.增加基极条和发射极条之间的距离
