多项选择题
改善晶体管大电流特性的主要技术途径包括（）
A.增加发射结的结面积
B.增加发射极总条长
C.采用多发射极条，使得单根发射极条长不要太长
D.减小基区串联电阻
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多项选择题
减小基区串联电阻的主要技术途径包括（）
A.采用双基极条
B.减少无源基区掺杂浓度
C.增加无源基区掺杂浓度
D.增加基极条和发射极条之间的距离 -
多项选择题
增大直流偏置电压VCE对基区渡越时间τb集电结势垒电容充放电时常数τc影响进而对特征频率fT的影响是（）
A.使得τb增大而使得fT下降
B.使得τc增大而使得fT下降
C.使得τb减小而使得fT增加
D.使得τc减小而使得fT增加 -
多项选择题
增大直流偏置电流IE对发射结势垒电容充放电时常数τe和基区渡越时间τb的影响进而对特征频率fT的影响是（）
A.使得τe增大而使得fT下降
B.使得τb增大而使得fT下降
C.使得τe减小而使得fT增加
D.使得τb减小而使得fT增加
