单项选择题
主存的实际结构如图所示，根据MAR中的地址访问某个存储单元时，需经过地址译码、驱动等电路，才能找到所需访问的单元。读出时，需经过读出放大器，才能将被选中单元中存储字送到MDR。写入时，MDR中的数据也必须经过写入电路才能真正写入到被选中的单元中。在现代计算机中，通常会将图中的（）制作在CPU芯片中。
A.MAR 和MDR
B.地址总线、数据总线
C.驱动器、译码器、读写电路
D.图中所有器件
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单项选择题
随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。动态RAM基础电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程称为再生或刷新。动态RAM的刷新有集中刷新，分散刷新，异步刷新之分。集中刷新是在规定的一个刷新周期内，对全部单元集中一段时间逐行进行刷新，刷新时必须停止读/写操作。在一个刷新周期内不能进行读/写操作的时间称为“死时间”，又称为“死区”，其所占的比率称为“死时间率”。某动态RAM的刷新时间分配示意图如下，它的刷新方式为（），死时间率是（）
A.集中刷新、3.2%
B.分散刷新、3.2%
C.集中刷新、1.2%
D.异步刷新、1.2% -
单项选择题
随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。下图是静态RAM芯片Interl2114的外特征示意图。图中，A9~A0为地址输入端；I/01~I/O4为数据输入/输出端；CS为片选信号（低电平有效）；WE为写允许信（低电平为写，高电平为读）；Vcc为电源端；GND为接地端。由Intel2114的外特征图，我们可知其存储容量为（）
A.1K×4位
B.1K ×4字节
C.1K ×10位
D.2K ×4位 -
单项选择题
下列关于主存存取速度说法错误的是（）
A.存取周期（Memory Cycle Time）是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间
B.存取时间又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间
C.存取时间分读出时间和写入时间两种
D.通常存取周期大于存取时间
