单项选择题
随机存储器按其存储信息的原理不同,可以分为静态RAM和动态RAM两大类。动态RAM基础电路有三管式和单管式两种,它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”,电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms,因此即使电源不掉电,信息也会自动消失。为此,必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态,这个过程称为再生或刷新。动态RAM的刷新有集中刷新,分散刷新,异步刷新之分。集中刷新是在规定的一个刷新周期内,对全部单元集中一段时间逐行进行刷新,刷新时必须停止读/写操作。在一个刷新周期内不能进行读/写操作的时间称为“死时间”,又称为“死区”,其所占的比率称为“死时间率”。某动态RAM的刷新时间分配示意图如下,它的刷新方式为(),死时间率是()
A.集中刷新、3.2%
B.分散刷新、3.2%
C.集中刷新、1.2%
D.异步刷新、1.2%
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单项选择题
随机存储器按其存储信息的原理不同,可以分为静态RAM和动态RAM两大类。下图是静态RAM芯片Interl2114的外特征示意图。图中,A9~A0为地址输入端;I/01~I/O4为数据输入/输出端;CS为片选信号(低电平有效);WE为写允许信(低电平为写,高电平为读);Vcc为电源端;GND为接地端。由Intel2114的外特征图,我们可知其存储容量为()
A.1K×4位
B.1K ×4字节
C.1K ×10位
D.2K ×4位 -
单项选择题
下列关于主存存取速度说法错误的是()
A.存取周期(Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间
B.存取时间又称为存储器的访问时间,是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间
C.存取时间分读出时间和写入时间两种
D.通常存取周期大于存取时间 -
单项选择题
DRAM存储器主要通过()来存储信息。
A.电容
B.触发器
C.磁介质
D.寄存器
