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单项选择题
已知Al2O3的相对介电常数为10，若使用它作为替代1.2纳米SiO2的高K栅介质层材料，所需Al2O2的厚度为（）。
A.3.1nm
B.0.5nm
C.0.9nm
D.1.7nm -
单项选择题
下面（）的噪声容限最大。
A.电阻型负载MOS倒相器
B.增强型-耗尽型MOS倒相器
C.互补MOS倒相器
D.增强型-增强型MOS倒相器 -
单项选择题
下列（）不是抑制CMOS闩锁效应的方法。
A.降低少子复合寿命
B.降低电源电压
C.缩小器件尺寸
D.减小衬底/阱的体电阻
