相关考题
-
单项选择题
半导体的功函数定义为真空能级和()之差。
A.Ev
B.Ec
C.费米能级
D.Eg -
单项选择题
已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层,且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高0.026eV,则该p型半导体为()半导体。
A.简并
B.非简并
C.弱简并
D.以上均不对 -
单项选择题
考虑镜像力后,金属半导体接触的势垒高度将()
A.升高
B.不变
C.无法判断
D.降低
