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直拉单晶硅工艺学
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填空题
气相法生长单晶和用氢还原生长多晶相似。在适当温度下，（）和氢气作用，在（）上逐渐生长出单晶。
【参考答案】
三氯氢硅；单晶籽晶
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填空题
基座法是既像（）又像（）的一种拉制单晶方法，此方法用卡具将多晶棒下端卡住，高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区，由上方插入籽晶，将籽晶慢慢向上提起，生长出单晶。
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片状单晶生长法（EFG法）将用（）制成的有狭缝的模具浸在熔硅中，熔硅依靠（）作用，沿狭缝升到模具表面和籽晶融合，用很快的速度拉出。
填空题
区熔法由于不使用坩埚，污染少，经区熔提纯后生长的（）较高，（）和（）低。
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