欢迎来到易学考试网
易学考试官网
登录
注册
首页
卫生资格(中初级)
医学高级职称
执业医师考试
执业药师考试
医院三基考试
全部科目
>
大学试题
>
理学
>
材料科学
>
直拉单晶硅工艺学
搜题找答案
填空题
气相生长法（）简单，污染少，单晶纯度较高，但是（），生长条件不易控制，生长的单晶质量较差。
【参考答案】
工艺流程；生长速度慢，周期长
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
填空题
气相法生长单晶和用氢还原生长多晶相似。在适当温度下，（）和氢气作用，在（）上逐渐生长出单晶。
填空题
基座法是既像（）又像（）的一种拉制单晶方法，此方法用卡具将多晶棒下端卡住，高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区，由上方插入籽晶，将籽晶慢慢向上提起，生长出单晶。
填空题
片状单晶生长法（EFG法）将用（）制成的有狭缝的模具浸在熔硅中，熔硅依靠（）作用，沿狭缝升到模具表面和籽晶融合，用很快的速度拉出。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
