单项选择题
不考虑界面态时，对于反型异质pn结的能带结构描述正确的是（）
A.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，△Ev 对n 区空穴向p 区运动也起势垒作用。
B.△Ec 对n区电子向p 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对p 区空穴向n 区运动没有明显的影响。
C.△Ec 对p 区电子向n 区的运动起势垒作用，而△Ev 则对n 区空穴向p 区运动没有明显的影响。
D.△Ec 对p区电子向n 区的运动没有明显的影响，而△Ev 对n 区空穴向p 区运动起势垒作用。
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单项选择题
异质结的超注入现象是指（）
A.在异质pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
B.在异质pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
C.在异质pn 结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
D.在异质pn 结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度。 -
多项选择题
Si-SiO2系统的绝缘层中的主要带电形式有（）
A.可动离子
B.界面态
C.电离陷阱电荷
D.固定电荷 -
多项选择题
对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？（）
A.金属和半导体之间存在功函数差
B.绝缘层中存在电荷
C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D.外加偏压
