多项选择题
对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？（）
A.金属和半导体之间存在功函数差
B.绝缘层中存在电荷
C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D.外加偏压
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多项选择题
在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触 -
单项选择题
对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）
A.平坦能带状态
B.深耗尽状态
C.少子反型状态
D.本征状态 -
单项选择题
对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）
A.A
B.B
C.C
D.D
