多项选择题
在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？（）
A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触
B.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触
D.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
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单项选择题
对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是（）
A.平坦能带状态
B.深耗尽状态
C.少子反型状态
D.本征状态 -
单项选择题
对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）
A.A
B.B
C.C
D.D -
单项选择题
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）
A.VS≥2VB
B.VS＞VB
C.VS≤2VB
D.VS＜VB
