问答题
计算题
设N沟道增强型MOSFET的参数为VT＝1V，W＝100μm，L＝5μm，μn＝650cm2／V·s，Cox＝76.7×10-9F／cm2。当VGS＝2VT，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效应管的工作电流ID。
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