问答题
计算题
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为KP＝0.2mA／V2，VP＝0.5V，iD＝－0.5mA（假定正向为流进漏极）。试求此时的预夹断点栅源电压vGS和漏源电压vDS等于多少？
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