单项选择题
晶体用腐蚀液腐蚀，硅单晶各晶面腐蚀速率排序正确的是（）
A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面
B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面
C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面
D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面
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单项选择题
晶体生长时，对于硅单晶的各晶面法向生长速度排序正确的是（）
A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面
B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面
C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面
D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面 -
单项选择题
晶格结构中（110）晶面的面间距计算正确的是（）
A.1.36
B.1.92
C.2.35
D.0.78 -
单项选择题
关于晶体的微观描述正确的是（）
A.晶体中的原子、分子或者离子在空间排列不具有周期性和对称性
B.晶体是由原子、分子或离子等在空间按一定规律排列组成的
C.晶体中不同粒子只要排列相同，那么晶体的性质也相同
D.晶体中相同粒子如果排列不同，那么晶体的形状可能相同
