单项选择题
以下晶体对结晶潜热的相关描述不正确的是（）
A.结晶过程伴随着结晶潜热的释放
B.放出的结晶潜热小于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程继续进行
C.放出的结晶潜热等于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程停止
D.放出的结晶潜热持续大于散发掉的热量时，结晶过程可能会停止
点击查看答案&解析
相关考题
-
单项选择题
晶体用腐蚀液腐蚀，硅单晶各晶面腐蚀速率排序正确的是（）
A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面
B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面
C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面
D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面 -
单项选择题
晶体生长时，对于硅单晶的各晶面法向生长速度排序正确的是（）
A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面
B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面
C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面
D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面 -
单项选择题
晶格结构中（110）晶面的面间距计算正确的是（）
A.1.36
B.1.92
C.2.35
D.0.78
