单项选择题
用直拉法生长硅单晶，当生长界面凸向熔体时下面描述正确的是（）
A.单晶生长界面不但受到曲率效应作用还受到浮力的作用
B.单晶生长界面只受到曲率效应作用
C.单晶生长界面只受到浮力的作用
D.以上说法都不对
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单项选择题
关于粗糙突变界面模型描述正确的是（）
A.粗糙突变界面模型中，吸附的原子或分子在界面上不同位置的位不相等
B.粗糙突变界面上到处是台阶和扭折
C.粗糙突变界面模型中，界面上只能在特定的位置上生长
D.界面上的生长机率不相等 -
单项选择题
非完整突变光滑界面的生长描述错误的是（）
A.晶体进行光滑面生长，如有螺旋位错在生长界面露头，形成台阶。这时，光滑面生长不需要形成二维晶核，这种生长叫非完整突变光滑面的生长
B.非完整突变光滑界面生长时，台阶只能以位错露头点为中心进行螺旋式地扩展
C.非完整光滑界面的台阶作平行推移，最终铺满整个晶面，台阶消失
D.由于螺旋位错形成的露头台阶永远存在性，这样的晶面永远不会成为完整的光滑面 -
单项选择题
下列有关原子生长速度的描述错误的是（）
A.只要界面的取向不发生变动，小台阶永远不会消失，晶体可以始终沿着垂直于界面的方向稳步地向前推进
B.一般说来，原子密度疏的晶面，法向成长线速度较慢
C.晶体不同晶面的成长线速度也不相同
D.小台阶愈高，晶体成长的速度也愈快
