单项选择题
下列有关原子生长速度的描述错误的是（）
A.只要界面的取向不发生变动，小台阶永远不会消失，晶体可以始终沿着垂直于界面的方向稳步地向前推进
B.一般说来，原子密度疏的晶面，法向成长线速度较慢
C.晶体不同晶面的成长线速度也不相同
D.小台阶愈高，晶体成长的速度也愈快
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单项选择题
下列哪些是晶体生长的决定因素（）
A.晶体本身结构（如单斜晶系、三斜晶系、四方晶系等）
B.晶体生长界面的结构（稀排面、密排面、还是特异面）
C.晶体界面的曲率等因素，（凸形界面、凹形界面、其他形状的界面）
D.以上都是 -
单项选择题
在实际结晶过程中关于晶核成核的描述正确的是（）
A.实际晶体结晶过程分为自发成核和非自发成核，但常常是以自发成核为主
B.熔体中存在杂质时，往往利用杂质作为基底，生成非自发晶核
C.一般来讲，非自发临界晶核形成时所需要的能量比自发晶核所需的能量大
D.由于籽晶为硅材质，所以引晶过程属于自发成核 -
单项选择题
以下晶体对结晶潜热的相关描述不正确的是（）
A.结晶过程伴随着结晶潜热的释放
B.放出的结晶潜热小于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程继续进行
C.放出的结晶潜热等于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程停止
D.放出的结晶潜热持续大于散发掉的热量时，结晶过程可能会停止
