单项选择题
下列哪些是晶体生长的决定因素（）
A.晶体本身结构（如单斜晶系、三斜晶系、四方晶系等）
B.晶体生长界面的结构（稀排面、密排面、还是特异面）
C.晶体界面的曲率等因素，（凸形界面、凹形界面、其他形状的界面）
D.以上都是
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单项选择题
在实际结晶过程中关于晶核成核的描述正确的是（）
A.实际晶体结晶过程分为自发成核和非自发成核，但常常是以自发成核为主
B.熔体中存在杂质时，往往利用杂质作为基底，生成非自发晶核
C.一般来讲，非自发临界晶核形成时所需要的能量比自发晶核所需的能量大
D.由于籽晶为硅材质，所以引晶过程属于自发成核 -
单项选择题
以下晶体对结晶潜热的相关描述不正确的是（）
A.结晶过程伴随着结晶潜热的释放
B.放出的结晶潜热小于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程继续进行
C.放出的结晶潜热等于散发到周围环境中去的热量时，结晶过程停止
D.放出的结晶潜热持续大于散发掉的热量时，结晶过程可能会停止 -
单项选择题
晶体用腐蚀液腐蚀，硅单晶各晶面腐蚀速率排序正确的是（）
A.（100）晶面< （110）晶面< （111）晶面
B.（100）晶面=（110）晶面=（111）晶面
C.（100）晶面>（110）晶面>（111）晶面
D.（100）晶面≈（110）晶面≈（111）晶面
