单项选择题
关于发射结势垒电容CTe和扩散电容CTe充放电对发射效率g的影响，下列说法中正确的是（）。
A.CTe对γ几乎无影响，CDe对γ有显著影响
B.CTe对γ有显著影响，CDe对γ几乎无影响
C.CTe和CDe对γ都有显著影响
D.CTe和CDe对γ都几乎无影响
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单项选择题
关于PN结势垒电容和扩散电容，下列说法中正确的是（）。
A.势垒电容可用平板电容等效，而扩散电容则不能
B.势垒电容和扩散电容都可用平板电容等效
C.势垒电容和扩散电容都不能用平板电容等效
D.扩散电容可用平板电容等效，而势垒电容则不能 -
单项选择题
Si的pn结，室温附近温度每升高（）度，反偏漏电流增加一倍。
A.十几
B.五十几
C.二十几 -
单项选择题
一维情况下以突变pn结冶金学界面处为x轴的零点，计算室温下平衡硅pn结中导带底比n区电中性区高0.1eV的位置与耗尽区在n区边界xn间的距离（p区：Na=1E18cm-3，n区：Nd=1E16cm-3，εr=11.9）：（）
A.1.0um
B.0.1um
C.0.01um
D.0.5um
