问答题
计算题
设硅中施主杂质电离能ΔED=0.04eV,施主杂质浓度ND=1016/cm3,以施主杂质电离90%作为达到强电离的最低标准,试计算保持饱和杂质电离的温度范围。
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设锗中施主杂质的电离能ΔED=0.01eV,在室温下导带底有效状态密度Nc=1.04×1019/cm3,若以施主杂质电离90%作为电离的标准,试计算在室温(T=300K)时保持杂质饱和电离的施主杂质浓度范围。 -
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