问答题
计算题
设锗中施主杂质的电离能ΔED=0.01eV，在室温下导带底有效状态密度Nc=1.04×1019/cm3，若以施主杂质电离90%作为电离的标准，试计算在室温（T=300K）时保持杂质饱和电离的施主杂质浓度范围。
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问答题
一硅半导体含有施主杂质浓度ND=9×1015/cm3，和受主杂质浓度NA=1.1×1016/cm3，求在T=300K时（ni=1.3×1010/cm3）的电子空穴浓度以及费米载流了浓度。 -
问答题
一块n型硅材料，掺有施主浓度ND=1.5×1015/cm3，在室温（T=300K）时本征载流浓度ni=1.3×1012/cm3，求此时该块半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度。 -
问答题
本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题： （1）设N=1023cm-3，k=8.6″×10-5eV.K-1时， Si（Eg=1.1eV），TiO2（Eg=3.0eV）在室温（20℃）和500℃时所激发的电子数（cm-3）各是多少？ （2）半导体的电导率σ（Ω-1.cm-1）可表示为，式中n为载流子浓度（cm-3），e为载流子电荷（电荷1.6×10-19C），μ为迁移率（cm2.V-1.s-1）当电子（e）和空穴（h）同时为载流子时， 假定Si的迁移率μe=1450（cm2.V-1.s-1），μh=500（cm2.V-1.s-1），且不随温度变化。求Si在室温（20℃）和500℃时的电导率。
