单项选择题
一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×1015cm-3。当氧化层厚度为0.1μm时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2μm时的阈值电压为（）V。
A.0.55
B.2.2
C.2.8
D.1.6
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单项选择题
半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。
A.增加
B.无法判断
C.减小
D.不变 -
单项选择题
对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。
A.无法判断
B.向负偏压方向平行移动
C.向正偏压方向平行移动
D.不变 -
单项选择题
MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。
A.相同、减小
B.相同、增加
C.不同、增加
D.不同、减小
