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单项选择题
对于n型半导体构成的非理想MIS结构，在（）条件下半导体表面达到强反型。
A.高频
B.低频
C.VG=Vi+2Vs
D.VG=Vi+2Vs+VFB -
单项选择题
金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。
A.Wm＞Ws；整流特性
B.Wm＞Ws；欧姆特性
C.Wm＜Ws；整流特性
D.Wm＜Ws；欧姆特性 -
单项选择题
杂质半导体进入全电离的温度存在（）规律，进入本征激发区的温度存在（）规律。
A.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越低
B.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越高
C.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越低
D.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越高
