单项选择题
金属-半导体（p型中等掺杂）接触在（）条件下形成阻挡层，其电学特性为（）。
A.Wm＞Ws；整流特性
B.Wm＞Ws；欧姆特性
C.Wm＜Ws；整流特性
D.Wm＜Ws；欧姆特性
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单项选择题
杂质半导体进入全电离的温度存在（）规律，进入本征激发区的温度存在（）规律。
A.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越低
B.杂质浓度越高，该温度越低；禁带宽度越大，该温度越高
C.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越低
D.杂质浓度越高，该温度越高；禁带宽度越大，该温度越高 -
单项选择题
对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（）成反比，大注入时则与（）成反比。Δ
A.n0；Δp
B.n0；Δn
C.p0；Δp
D.p0；Δn -
单项选择题
有4个硅样品，其掺杂情况分别是：甲：含砷1×1015cm-3；乙：含硼和磷各1×1017cm-3；丙：含硼1×1017cm-3；丁：含砷1×1017cm-3。室温下假设杂质完全电离，则这些样品的空穴浓度由高到低的顺序是（）。
A.丁甲乙丙
B.甲丙丁乙
C.丙乙甲丁
D.丁丙甲乙
