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直拉单晶硅工艺学
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填空题
在p型硅片上通过（）工艺形成n型区，在两区交接处形成一个p-n结。
【参考答案】
扩散
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填空题
当电池表面受到光照时，在电池内部产生的光生电子—空穴对扩散到p-n结并受结电场影响而分开，（）移向n区，（）移向p区，在p区和n区之间产生了光生电动势，当外电路连接起来时就有电流通过。
填空题
西门子法中通常用（）还原（），生成多晶硅沉积在（）上。
填空题
西门子法的工艺的制备温度需要在（）℃左右。
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