相关考题
-
单项选择题
B-T实验主要是用来测量（）。
A.界面陷阱电荷Qit
B.氧化层中固定电荷Qf
C.氧化层中陷阱电荷Qot
D.氧化层中可动电荷Qm -
单项选择题
某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。
A.以下说法都不对
B.半导体表面势为正
C.半导体表面处于积累状态
D.半导体表面能带向下弯曲 -
单项选择题
考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm-3，Nc=2E15cm-3。假定冶金结宽度为0.70um。计算C-B结电压从2V变化到10V时，中性基区宽度的变化（）。
A.0.1um
B.0.25um
C.0.05um
D.0.2um
