单项选择题
关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是（）。
A.靠近栅极界面的电荷比靠近 半导体界面的电荷影响更大
B.无法确定
C.靠近栅极界面的电荷与靠近 半导体界面的电荷的影响相同
D.靠近 半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
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单项选择题
对MIS电容有明显影响的是（）。
A.氧化层中固定电荷Qf
B.界面陷阱电荷Qit
C.氧化层中可动电荷Qm
D.氧化层中陷阱电荷Qot -
单项选择题
B-T实验主要是用来测量（）。
A.界面陷阱电荷Qit
B.氧化层中固定电荷Qf
C.氧化层中陷阱电荷Qot
D.氧化层中可动电荷Qm -
单项选择题
某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。
A.以下说法都不对
B.半导体表面势为正
C.半导体表面处于积累状态
D.半导体表面能带向下弯曲
