单项选择题
单晶硅生长时,晶体中的纵向温度梯度过小时会导致什么结果()
A.晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉,单晶硅温度会增高,结晶界面温度随着增高,熔体表面的过冷度减小,单晶硅的正常生长就会受到影响
B.由于晶体散热快,熔体表面一部分热量也散掉,结晶界面温度会降低。
C.会导致结晶界面温度降低,表面过冷度增大,可能产生新的不规则的晶核,使晶体变成多晶
D.导致熔体表面过冷度增大,单晶可能产生大量结构缺陷
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单项选择题
动态热场是由下列哪一项决定的()
A.加热器
B.保温系统
C.结晶潜热
D.坩埚位置 -
单项选择题
用直拉单晶炉拉制硅单晶是在高温下进行的,以下哪些部件不需要水冷?()
A.炉膛、副室
B.籽晶轴、坩埚轴
C.重锤、托杆
D.铜电极 -
单项选择题
用直拉法生长硅单晶,当生长界面凸向熔体时下面描述正确的是()
A.单晶生长界面不但受到曲率效应作用还受到浮力的作用
B.单晶生长界面只受到曲率效应作用
C.单晶生长界面只受到浮力的作用
D.以上说法都不对
