单晶硅生长时，熔体中的纵向温度梯度过小时导致的结果描述错误的是（）

A.温度梯度较大时，离开液面越远温度越高。即使有较小的温度降低，生长界面以下熔体温度高于结晶温度，不会使晶体局部生长较快，生长界面较平坦的，晶体生长是稳定的
B.温度梯度较大时，结晶界面以下熔体温度与结晶温度相差较少。熔体温度波动时可能生成新晶核，凝结在单晶硅界面使单晶硅发生晶变。晶体生长不稳定
C.温度梯度较小时，结晶界面以下熔体温度与结晶温度相差较少。熔体温度波动时可能生成新晶核，凝结在单晶硅界面使单晶硅发生晶变。晶体生长不稳定
D.温度梯度较小时，离开液面越远温度越高。即使有较小的温度降低，生长界面以下熔体温度高于结晶温度，不会使晶体局部生长较快，生长界面较平坦的，晶体生长是稳定的

A.晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉，单晶硅温度会增高，结晶界面温度随着增高，熔体表面的过冷度减小，单晶硅的正常生长就会受到影响
B.由于晶体散热快，熔体表面一部分热量也散掉，结晶界面温度会降低
C.会导致结晶界面温度降低，表面过冷度增大，可能产生新的不规则的晶核，使晶体变成多晶
D.导致熔体表面过冷度增大，单晶可能产生大量结构缺陷

A.只有在温度梯度足够大时，才能单晶硅生长产生的结晶潜热及时传走，散掉，保持结晶界面温度稳定
B.如果温度梯度较小，晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉，单晶硅温度会增高，结晶界面温度随着增高，熔体表面的过冷度减小，单晶硅的正常生长就会受到影响
C.只有在温度梯度足够小时，才能单晶硅生长产生的结晶潜热及时传走，散掉，保持结晶界面温度稳定
D.如果温度梯度较大，晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉，单晶硅温度会增高，结晶界面温度随着增高，熔体表面的过冷度减小，单晶硅的正常生长就会受到影响