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单项选择题
B掺杂浓度为6×1016cm-3的Si半导体，再掺入4×415cm-3的P原子后，在禁带EF的位置将（）
A.更靠近Ev
B.更靠近Ec
C.不确定
D.位于Ei -
单项选择题
对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）
A.Ec
B.位于EF以下，且很接近EF的能级
C.Ei
D.位于EF以上，且很接近EF的能级 -
单项选择题
对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）
A.1/ni
B.1/△p
C.1/p0
D.1/n0
