单项选择题
在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）
A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm
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判断题
离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。 -
多项选择题
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）
A.靶温升高，临界剂量上升
B.注入离子越轻，临界剂量越小
C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低
D.注入离子能量越高，临界剂量越低 -
多项选择题
扩散系数在何时不可以看成是常数（）
A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼
B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质
C.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质
D.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化
