相关考题
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多项选择题
对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
A.掺入n型杂质
B.掺入p型杂质
C.本征激发
D.引入深能级 -
多项选择题
下面（）过程属于间接复合的微观过程。
A.发射电子
B.发射激子
C.俘获空穴
D.声子发射 -
多项选择题
根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）
A.本征半导体
B.n型半导体
C.p型半导体
D.高度补偿半导体
