单项选择题
根据费米分布函数，电子占据（EF+2K0T）能级的几率（）
A.大于空穴占据EF的几率
B.等于空穴占据（EF-2K0T）能级的几率
C.等于空穴占据（EF+2K0T）能级的几率
D.大于电子占据EF的几率
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单项选择题
T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）
A.增加
B.不确定
C.不变
D.下降 -
多项选择题
对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
A.掺入n型杂质
B.掺入p型杂质
C.本征激发
D.引入深能级 -
多项选择题
下面（）过程属于间接复合的微观过程。
A.发射电子
B.发射激子
C.俘获空穴
D.声子发射
