单项选择题
关于PN结，说法不正确的是（）
A.PN结始终具有整流特性
B.平衡PN结中，N型半导体一侧的空间电荷区是由施主杂质离子构成的
C.正向电压作用下，PN结电容以扩散电容为主
D.PN结中自建电场的方向是由N区指向P区
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单项选择题
以下关于PN结电容的说法正确的是（）
A.反向偏压增大时，势垒电容减小
B.正向偏压增大时，势垒电容减小
C.正向偏压增大时，扩散电容减小
D.势垒电容是一种固定电容 -
单项选择题
已知有一PN+结，通过降低NA，可以（）
A.提高击穿电压
B.减小势垒区宽度
C.提高势垒电容
D.并没有什么影响 -
单项选择题
关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有（）
A.一般希望PN结的击穿电压尽可能的大一些
B.雪崩击穿电压一般比隧道击穿电压小一些
C.隧道击穿比较常见
D.一旦击穿，PN结就损毁了
