单项选择题
在推导MOSFET电流方程时，假设沟道区不存在产生复合电流。若严格考虑，MOSFET正常工作时，（）。
A.沟道区同时存在产生电流和复合电流，但可相互抵消B.沟道区既不存在产生电流，也不存在复合电流C.沟道区存在复合电流D.沟道区存在产生电流
单项选择题 （）不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压。
单项选择题 理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。
单项选择题 降低基区掺杂浓度，（）。
