单项选择题
对于一中等掺杂的n型半导体，最有效的陷阱能级位置为（）
A.EcB.位于EF以下，且很接近EF的能级C.EiD.位于EF以上，且很接近EF的能级
单项选择题 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（）
单项选择题 若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）
单项选择题 对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（）
